●Advanced Process Technology
●Ultra Low On-Resistance
●Dynamic dv/dt Rating
●175 degree Operating Temperature
●Fast Switching
●Fully Avalanche Rated
●Lead-Free
Kuvaus
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
TO-220-paketti on yleisesti suositeltu kaikissa kaupallisissa ja teollisissa sovelluksissa, joiden tehohäviö on noin 50 wattia. TO-220:n alhainen lämmönkestävyys ja alhaiset pakkauskustannukset edistävät sen laajaa hyväksyntää koko teollisuudessa.
Suositut Tagit: irf540npbf, Kiina, toimittajat, valmistajat, tukkumyynti, varastossa
